中国研制全球最快半导体电荷存储器件

（上海讯）中国在集成电路领域再获突破，有科研团队成功研制出新闪存器件，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。

上海复旦大学星期四（4月17日）在官网发文称，该校集成晶片与系统全国重点实验室、晶片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队，成功研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度达到400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作。

文章称，这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术，实现存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望颠覆现有存储器架构。在该技术基础上，未来个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现人工智能大模型的本地部署。

相关研究成果星期三（4月16日）在学术期刊《自然》（Nature）发表。

复旦大学4月3日也在官网宣布，集成晶片与系统全国重点实验室周鹏、包文中联合团队，成功研制二维半导体晶片“无极”，突破二维半导体电子学工程化瓶颈，首次实现5900个晶体管的集成度。

复旦大学官网信息显示，集成晶片与系统全国重点实验室在2022年获批建设，旨在突破中国集成电路领域面临的“卡脖子”技术瓶颈。